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喷淋式和浸泡式两种蚀刻工艺该怎么选择

金属蚀刻的方法根据工件和溶液接触的方式主要分为两种，那就是喷淋式和浸泡式，那么这两种蚀刻工艺适合什么样的零件加工，又该怎么选择呢？今天兴之扬整理归纳一下为大家简单分析一下喷淋式和浸泡式两种蚀刻工艺该怎么选择。

1、不同的生产数量适合的蚀刻工艺不一样：

喷淋式蚀刻拥有、速度快、精度---优点，比较适合批量化生产，生产容易实现自动化控制，当然喷淋式蚀刻对设备要求比较高，成本投入会比较高，而且由于设备体积与喷淋范围的影响，并不适合对大尺寸与异形工件的蚀刻；

浸泡式蚀刻设备投入小，蚀刻方便可蚀刻体积广，但不适合大批量生产，同时浸泡式蚀刻速度较喷淋式蚀刻慢，生产郊率低，生产过程不易实现自动化控制。

兴之扬316不锈钢网片小编给大家介绍什么是二氧化硅的湿式蚀刻：

在微电子组件制作应用中，二氧化硅的湿式蚀刻通常采用hf溶液加以进行(5)。而二氧化硅可与室温的hf溶液进行反应，但却不会蚀刻硅基材及复晶硅。反应式如下：sio2+6hf=h2+sif6+2h2o

由于hf对二氧化硅的蚀刻速率相当高，在制程上很难控制，因此在实际应用上都是使用稀释后的hf溶液，或是添加nh4f作为缓冲剂的混合液，来进行二氧化硅的蚀刻。nh4f的加入可避免---物离子的消耗，以保持稳定的蚀刻速率。而无添加缓冲剂hf蚀刻溶液常造成光阻的剥离。典型的缓冲氧化硅蚀刻液(boe:bufferoxideetcher)(体积比6:1之nh4f(40%)与hf(49%))对于高温成长氧化层的蚀刻速率约为1000?/min。

在半导体制程中，二氧化硅的形成方式可分为热氧化及化学气相沉积等方式；而所采用的二氧化硅除了纯二氧化硅外，尚有含有杂质的二氧化硅如bpsg等。然而由于这些以不同方式成长或不同成份的二氧化硅，其组成或是结构并不完全相同，因此hf溶液对于这些二氧化硅的蚀刻速率也会不同。但一般而言，高温热成长的氧化层较以化学气相沉积方式之氧化层蚀刻速率为慢，因其组成结构较为致密。